溅射工艺相关论文
随着5G通信的普及和移动通信技术的不断进步，薄膜体声波谐振器（FBAR）也逐渐向高频、大带宽的方向发展。基于6英寸（1英寸=2.54 cm）微电子......
高硼硅玻璃是指B2O3含量大于10%、Si O2含量大于78%的硼硅酸盐玻璃,最早在1915年由美国康宁公司研发制备而成,并且获得了相关专利......
日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶......
Mg_2Ge半导体材料是一种新型环保材料,Mg_2Ge材料具有高的塞贝克系数、高电导率和低热导率等特点,是高性能的中高温热电材料,作为......
本文对溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术进行了研究。文章介绍了使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法,即通过对影响电阻结构......
本文运用射频和直流磁控溅射的方法,分别在Si基片和柔性聚偏二氟乙烯(PVDF)基片上制备金属Cu薄膜,在不同的溅射工艺参数下,制备Cu/......
六角钡铁氧体BaFe_(12)O_(19) (BaM)由于具有大的单轴各向异性、大的电阻率及高的磁导率而被广泛应用于如环形器等微波器件中。为......
ZnO-TCO薄膜作为一种新型直带隙宽禁带(3.37e V)半导体材料,因其原料丰富、廉价、环保且性能稳定有望取代ITO和FTO应用于太阳能电......
PZT(锆钛酸铅)系压电陶瓷由于其具有良好的压电特性、高的温度稳定性、较大的机电耦合系数,可制作压电振子、压电换能器、传感器和......
