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氮化铜(Cu3N)作为一种可应用于光存储器和高速集成电路的新材料,已然成为一个研究热点。Cu3N是一种具有较高电阻率、较低热分解温......
本研究采用射频反应磁控溅射法,分别在玻璃基片上制备了Tb掺杂Cu3N薄膜和TiN薄膜,采用表面形貌仪、X射线衍射仪、X射线能谱仪、四......
