在400℃下对单晶6H-SiC进行了400keV氦离子辐照,辐照剂量为1×1016He+/cm~2,随后在1200和1500℃退火30min。采用透射电子显微镜和......

本文采用30 keV的He离子辐照Hastelloy N合金,辐照温度为500°C,剂量分别为:1×1015、5×1015、1×1016 He+/cm2.利用扫描电子显微......