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极紫外光刻技术是我国当前面临35项“卡脖子”关键核心技术之首．高极紫外光转换效率和低离带热辐射的激光等离子体极紫外光源是极紫......
随着芯片特征尺寸的不断减小，借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈，使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商......
为了满足激光诱导等离子体(LPP)体制下极紫外(EUV)光源对CO2激光器提出的稳定性需求, 建立了简化的CO2激光传输系统模型, 根据光束......
随着半导体产业的发展，芯片集成度得到了大幅度提升，对于制备芯片至关重要的光刻技术也需要进一步提高。未来最有发展前景的光刻技术......
极紫外光刻技术是制造特征尺寸小于22nm芯片的最有前途的光刻技术,极紫外光源是极紫外光刻技术的重要组成部分。激光辅助放电等离......
近年来，随着电子产品爆发式的增长，半导体产业不断追求缩小芯片刻蚀的特征尺寸以提升产品的性能，芯片生产所采用的光刻技术正面临着巨......
