杂质态相关论文
在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了流体静压力下GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点的杂质态和激子态结合......
在连续介电模型和有效质量近似下,运用变分法研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的基态结合能。考虑电子有效质量随着位置......
近年来随着石墨烯材料获得空前的成功以及拓扑绝缘体等材料的关注度持续上升,对凝聚态物质中满足相对论量子力学的准粒子的研究已......
该文采用三角势近似和实际异质结势,分别考虑电子气对施主杂质-电子间库仑势的屏蔽、声子和压强的影响,讨论半导体异质结中的杂质......
该文对异质结势采用三角势近似,讨论磁场下半导体异质结中电子气对施主杂质态结合能的影响、声子对束缚极化子结合能的影响.采用实......
本文考虑压力及准二维电子气对杂质库仑势屏蔽的影响，计及各向同性电子有效质量，材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，利用变分......
本文考虑纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性，在有效质量近似下采用变分理论研究了体材料杂质态结合能及其极化子效应；计及电子......
近年来，由于AlN、GaN和InN及其化合物等宽禁带Ⅲ族氮化物半导体在光电子器件，特别是高亮度的蓝/绿发光二极管和激光二极管等方面应用......
本文利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算，给出杂质态结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和Al......
对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附......
