有源偏置相关论文
介绍了一款基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的2～18GHz超宽带低功耗低噪声放大器芯片的设计，给出了在片测试结果。该芯片采用结合有源偏置和......
基于sanan的发射结面积为2um×20um的InGaP/GaAsHBT工艺,采用达林顿结合有源偏置结构,制作了一种频率覆盖DC-5GHz的超宽带低噪声放......
为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器......
采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片.针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有......
