GaAs是典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,由于其直接带隙特性（1.42 e V@300 K）和优秀的电子迁移率(～8500 cm2 V-1s-1)而被广泛应用于各种发光......

近年来,铯铅卤化物Cs-Pb-Br钙钛矿纳米晶因其具有形状、尺寸和发射可调谐、高光致发光量子产率(Photoluminescence Quantum Yields......

本论文以钛酸四丁酯为钛源,以高浓度盐酸溶液为反应介质,采用水热法制备了纯锐钛矿相、纯金红石相及锐钛矿与金红石混相纳米TiO_2......