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在信息存储技术日益发展的今天,存储器成为当代集成电路产业中最重要、最基础的部件之一。存储器的高集成度、较大的存储容量、高......
Pr6O11压敏陶瓷是一类新型的压敏电阻材料,是我们课题组最早发现的。与传统的ZnO压敏电阻材料相比,纯Pr6O11陶瓷具有非线性电学行......
1969年Matsuoka发现ZnO压敏陶瓷材料以后，ZnO压敏材料开始受到人们广泛和深入的研究。20世纪80年代的中后期，ZnO压敏材料的理论研究......
该文首先对用于测量半导体器件电学性质的仪器Source Meter和LCR Meter的原理做了简要介绍,同时也对两台仪器的相应软件开发过程及......
本学位论文是关于BaSnO3半导体陶瓷材料的制备技术及电性能方面的研究。首先，通过对传统的固相烧结法制备工艺进行改进和优化，包括引......
本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(InN)的电学输运性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性......
研究了ZnO玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响.发现玻璃料的添加量 w玻璃料一般在8.0 %～10.0 %时效果最佳.Sb2O3......
采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射......
研究了具有热分解氧化反应的CuO、MnO2等的一类氧化物对TiO2压敏电阻器性能的影响,采用C-V分析、I-V测量和介电测量等实验手段,分......
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