总剂量辐射相关论文
基于0.6μm高低压兼容CMOS工艺，设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器（DAC）。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的......
分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路.重点介绍了......
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同......
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设......
对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无......
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗......
主要介绍了长线在线测试系统在60 Co源辐射场中的应用。实验中 ,解决了辐射场低能散射对小电流测量带来的影响问题。在线测量减少......
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模......
