微分增益相关论文
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层......
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性，并以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）体系为例，分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果......
PID控制技术因其良好的控制效果,始终是实际工业过程控制中的主导技术。考虑到实际工业控制过程中,系统通常需要满足某些主要性能......
我们使用的发射机已有十七年之久.末级放大器非线性指标下降严重.DG失真量达19%。DG校正器校正量只有4%,远远不能校正末级失真。......
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构......
应用Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱的能带结构．为设计1.55μm发射波长的激光器，对可能组分......
