应变弛豫相关论文
作为一维纳米材料,半导体纳米线具备新颖的物理特性,在光子器件（激光器、光电探测器）、电子器件（场效应管、逻辑器件）、能源（太阳电池、......
以纳米岛为代表的低维半导体材料由于其独特的性能而受到国内外学者的广泛关注,并在纳米岛发光二极管、纳米岛激光器、纳米岛红外......
以InGaAlP为代表的四元化合物作为高亮度发光二极管(LED)材料正在引起广泛的重视.该论文针对高亮度发光二极管(LED)器件与材料,利......
应变硅能够提高电子和空穴的迁移率，有希望成为高性能金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的n型和p型沟道材料。以绝缘体上弛豫的S......
掺杂钙钛矿锰氧化物在铁磁相变点附近存在超大磁电阻效应(CMR)。因其在磁记录、磁传感器方面潜在的应用前景及金属—绝缘体相变所......
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大......
应变弛豫是自组织量子点生长的驱动力,异质外延生长模式及其转变与体系表面能、界面能和应变能有直接关系.基于异质外延生长系统的......
在(0001)取向的蓝宝石(αt-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000 A的Al0.22Ga0.7aN/GaN异质......
利用90°离轴射频磁控溅射方法将Lao.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO3(STO)、MgO和α-Al2O3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均......
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge......
