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制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,......
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积( ALD)方法实现......
