带电激子相关论文
由于半导体量子阱线中激子和复杂激子的特性在光学器件中有着重要的作用。所以对低维半导体结构(量子阱、量子阱线,量子点等)在过去几......
对二维材料基本物理特性和应用探索的研究已经成为当前物理学、化学、生物学等学科最为活跃和最受关注的领域之一。具有带隙的过渡......
过渡金属硫化物二维材料(Transition metal dichalcogenides,TMDs,如Mo S2,WS2等)因其新奇的物理化学特性,如显著的量子限制效应、室......
首先,我们计算了有限深GaAs-AlGaAs量子阱中激子的束缚能,其中考虑到了阱和垒两种材料中电子和空穴的有效质量以及介电常数的失配......
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2-5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(m......
报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温至室温(1.4-296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺......

