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MOSFET器件的尺寸缩小带来较明显的短沟道效应、泄漏电流增大、功耗增加等问题,限制了集成电路的发展。由于受热力学输运玻尔兹曼......
学位
在摩尔定律的指导下,集成电路的特征尺寸不断减小,纳米尺度下MOSFET器件的漏电问题越来越严重,日益增大的功耗限制了晶体管尺寸进......
多年来,随着集成电路的快速发展,晶体管的工艺尺寸从微米级缩小到纳米级。工艺尺寸的缩小使得集成电路的集成度提高,性能提升。不......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
在摩尔定律的指导下,集成电路中MOS器件的栅长在不断减小,目前已经减小到10nm左右。随着集成电路中关键尺寸的不断减小,小尺寸带来......
根据摩尔定律的描述,随着集成电路技术的不断发展,晶体管的尺寸在不停的减小,集成度变高,性能提升。但在器件的尺寸等比例缩小的同......
遵循摩尔定律,传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）集成电路芯片特征尺寸不断缩小,器件集成度逐步加大,然而随着芯片性能的......
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采......
