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Ⅲ-V族材料制备多结太阳电池的研究进展
讨论了采用Ⅲ-V族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键......
期刊
Ⅲ-V族化合物
多结太阳电池
晶格失配
渐变缓冲层
直接键合
层转移
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