失配位错相关论文
缺陷存在于广泛的材料家族中,其中不乏有二维异质结材料。当两种晶格失配度较大的材料形成异质结时,界面区域会出现失配位错以释放......
结构决定功能。材料通常存在缺陷,而位错作为一种线缺陷会大量存在于晶体材料内部,人们可以借助于透射电子显微镜观察到位错在材料......
失配位错是薄膜科学研究的重点内容之一，其主要形成于原子沉积生长过程中，现有的实验分析手段的空间和时间分辨能力都无法达到对原子......
该文的研究工作由以下两部分内容组成:一、研究了使用分子束外延(MBE)方法,在微米量级窗口中局域外延生长的SiGe/Si异质结材料的应......
基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论,研究了生长方向分别为[111]和[211]晶向,HgCdTe外延薄膜临界厚......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模......
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界......
