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垂直双扩散MOSFET相关论文
埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究
对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两......
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静电感应晶体管
垂直双扩散MOSFET
单粒子烧毁效应
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