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本文使用TCAD工具对AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真，在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构，并优化了......
氧化镓（Ga2O3）具有带隙大（约4.8 eV）、高击穿场强（约8 MV/cm）的优点,同时Ga2O3相对于碳化硅（Si C）和氮化镓（Ga N）具有更高的巴利加优值,使Ga2......
为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基......
