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以含钛高炉渣（钛渣）为原料，KOH与Fe2O3为改性剂，采用高温焙烧法进行矿物相重构，得到了一种具有土壤修复功能的缓释肥料（重构钛渣）。紫外光......
本论文针对目前碳包覆工艺存在的材料振实密度低的缺点(0.8 g cm-3),对磷酸铁锂和磷酸铁锰锂材料的碳包覆工艺过程进行了改进。采......
金属氧化锌(ZnO)是一种重要的半导体功能材料,因其自身的一些电学和光学的性质被认为是一种理想的材料经常用于半导体传感器、光催......
随着石化资源的日益枯竭,越来越多的科研工作者把目光聚焦到了可再生的生物质资源上。近年来,我国速生丰产林（杂交松）种植面积广,产......
随着社会的发展,人类对不可再生的矿产资源需求量急剧增加,因此,在金属冶炼中会产生大量的冶金固废以及有毒有害气体。例如:攀钢主......
ZnO是一种比较多见的半导体材料,因为其拥有制备原料易得、合成过程简单、造价低、对环境污染小等优势,所以经常被用于构建各种气......
在光电催化降解有机物以及分解水产氢体系中,由TiO2与BiVO4复合形成TiO2/BiVO4异质结光阳极,具有提高载流子的寿命,加快光生电子空......
学位
利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅......
近年来,随着人们对健康生活和环境保护的越来越重视,因此对一些易燃有毒气体的有效检测具有十分重大的意义。由金属氧化物半导体材......
本论文的主要内容是在激光和等离子体特性研究的基础上进行激光和等离子体的应用探索，摸索一种新的材料制备方法—基于电子回旋共振......
立方氮化硼(c-BN)是Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物，具有优异的物理化学性质，如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性。适合......
立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙III-V族化合物半导体材料，它有许多优异的物理化学性质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的......
Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与......
