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压控衰减器相关论文
一款高线性度正电压控制的压控衰减器
针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制......
期刊
砷化镓
正电压控制
高线性度
压控衰减器
3~4Ghz单片集成压控衰减器
论述了一种GaAs MESFET单片集成压控衰减器的研制过程,包括参数设计,结构设计,工艺设计等。该衰减器主要指标为:频率3~4GHz,衰减量≥30d......
会议
单片集成
压控衰减器
结构设计
工艺设计
参数设计
衰减量
驻波
指标
频率
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