半绝缘砷化镓相关论文
纳秒、亚纳秒超快高压电脉冲在超宽带雷达、低温等离子体技术、生物医疗、激光技术等国防、科研及工业领域具有广阔的应用前景。近......
本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率......
<正>一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入......
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结......
液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶（LEC SI-GaAs）被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。随......
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明......
通过波长为1064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低......
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探......
