首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Fac......

基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学......

用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法计算不同能量的X射线在金-硅（Au-Si）界面处产生的剂量增强系数（DEF）与金（Au）和硅（Si）厚度的关系。结果表明：Au和S......

用Monte-Carlo光子-电子耦合输运程序计算了真实半导体封装Kovar结构对不同能量X射线在硅中的剂量增强因子,并与内层不涂金的Kovar......