分子束外延生长相关论文
近年来,直接硒化或者碲化金属衬底形成的二维硫基层状化合物,因具有独特的拓扑性质而受到广泛关注。如Pt Se2作为第二类狄拉克半金......
生长在SrTiO3衬底上的单层FeSe薄膜（FeSe/STO）由于其本身独特的电子结构,以及可能是铁基高温超导体中最高超导转变温度的记录创造者,......
红外探测器是红外探测成像系统中最重要的核心部件之一。从二战期间第一个PbS可实用红外探测器的出现到如今正蓬勃发展的第三代大......
利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测......
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊......
在最近几年的凝聚态物理学发展中,拓扑材料如拓扑绝缘体和拓扑半金属的研究已经成为一个热点方向,拓扑材料所具有的各种新奇物性被......
分子束外延生长技术是当代半导体材料和器件制造中最先进、最精细、非常复杂的技术.一个分子束外延实验室不仅仅是一台分子束外延......
近些年,单元素二维材料,例如:石墨烯,硅烯,锗烯,锡烯,锑烯等等,以其特殊的电子结构和新奇的性质引起了人们广泛的关注。在不断寻找......
本文研究了利用氮等离子体辅助的分子束外延设备制备的一系列氮化锰薄膜Mn3N2、Mn2N、Mn4N的磁性能。通过RHEED、XRD、XPS、SEM、A......
元素铅是第一类常规s波超导体,体态铅的超导转变温度为7.2K,它是最简单的具有强自旋轨道耦合的体系。而铅薄膜由于其强烈的量子尺......
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronm......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electro......
