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提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）凭借其高输入阻抗、低导通压降、低驱动功率等优势,广泛应用于轨道交......
随着电力电子技术的发展,人们要求不断提高电能的转换效率。绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）作为半导......
随着电力电子技术飞速发展,大功率直流变换技术越发起着至关重要的作用。全桥变换器具有拓扑结构简单、控制简单、高效率的优点,广......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电......
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
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发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关......
介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数......
电力电子技术就是对电能进行变换和控制的技术,广泛应用于电力系统、电气传统装置及各种电源设备中。电力电子变换的本质就是利用......
分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一......
分析了单声光器件、超声场相互平行和正交两声光Q开关器件衍射损耗 ,根据声光互作用理论 ,给出拉曼 奈斯衍射的超声场相互正交和......
