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GaN外延生长技术的革新不仅推动了传统照明产业、显示屏制造技术的发展,也为可见光通信的发展奠定了坚实的基础。近年来,高亮度的G......
得益于二十世纪九十年代宽带隙复合半导体材料生长及掺杂技术取得的突破性进展,近年来,基于III族氮化物的有源与无源器件已经得到......
微波光子芯片是支撑微波光子学发展的基石。针对微波光子芯片材料体系多样、难以多功能集成等问题，异质/异构集成技术提供了一种有......
随着神经科学技术和计算机技术的发展,脑机接口作为人脑和电子设备之间进行通信的桥梁,在生物医疗、游戏娱乐、教育等领域具有广泛......
MEMS光学加速度传感器是一种将惯性系统内部敏感质量块的位移变化,转化为光学系统中光信号的变化量（波长、频率、能量）来间接测量加......
光电子器件与传统微电子硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片的集成是未来信息技术的重要发展方向.现有硅基光电子集成技术得益于C......
信息通信技术的飞速发展推动了人类社会数字化、智能化变革,无人驾驶、远程医疗、人工智能等未来科技蓬勃发展,故各先进领域对数据......
自从基于仙农信息论的现代通信方式问世以来,人们不断追求更高的传输速率、更大的信息容量和更高的通信质量。以光子作为信息载体......
由于Ⅲ-Ⅴ族材料在光电子器件尤其是发光器件中被广泛应用,随着硅基光电集成的发展,在硅衬底上异质外延生长Ⅲ-Ⅴ族材料引起了研究......
在PIN光电探测器(PIN-PD)结构的垂直方向上集成垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构单元,实现了收发一体式工作的集成光电芯片对,可用于......
微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处......
用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＋／ｎＳｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电......
O644.18 2006032084激光化学液相次序选择腐蚀新方法=A new order-selec-tive etching method in laser induced wet-chemical etc......
提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——利用腐蚀电流特性和腐蚀图像均匀度相结合的方法，选择出适合的腐蚀溶液。该方法可以提高激光......
基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并......
研究了光电集成器件的耦合与封装的关键技术,首先分析光纤与PLC波导的z向偏移及角度偏移与耦合效率的关系,发布其3dB容差分别为70......
设计了一种阵列波导光栅解调集成系统中的8通道Si纳米线阵列波导光栅波分复用器。根据材料的折射率设计了单模波导截面尺寸,利用光......
20世纪40年代以来,信息科技取得了惊人的进步。以电子作为信息载体的硅基超大规模集成电路技术经过大半个世纪的发展,已然十分成熟......
移动智能设备的迅速普及,使得智能硬件领域得到迅速发展。对人机交互模式提出了更加高效、亲和、多样化的发展要求。空间位置距离......
为满足光模块产品低成本、高链路容量的发展需求，提出了一种紧凑型小型化可热插拔（CSFP）光收发模块的设计方案及测试方法。简要说明了......
简述用于无源光网络(PON)的平面光波回路(PLC)光电集成器件的3个关键技术,包括表面贴光子技术,半导体激光器(LD)、光电二极管探测......
表面等离子体激元(surface plasmon plaritons-SPP)是光波信号与金属表面自由电子气之间混合振荡而形成的表面电磁模式,可在金属与......
微透镜阵列作为微光学重要的组成部分,已成为光学领域新兴的一门前沿性分支学科,并且微透镜阵列器件实现了微型化和集成化,可用于......
互联网的飞速发展、持续增加的带宽需求成为光纤通信系统发展的驱动力。目前,光纤通信正在向智能化、集成化、低成本和高可靠性的......
电场测量是电气工程领域的基础研究手段。光电集成电场传感器具有无源、小尺寸、宽频带、动态范围大等优点,能够满足电力工程领域......
本文用射频磁控溅射技术制备了Au/(Si/SiO2)/P-Si结构的样品，测定了样品在室温下的I-V特性曲线以及不同电压下的电致发光谱。对其电......
伴随着话剧《暗恋桃花源》的上演,近日,由大连国际会议中心大剧院主办的“发现生活之美·2016大连国际话剧艺术节”启幕.这座全球......
提出了一种180V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件.研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大......
期刊
本文介绍了利用In GaAs金属-半导体-金属(MSM)长波长光探测器与InAlAs-InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成来实现长波长光接......
采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱......
为了将光电集成电场传感器用于时域电场测量,为高电压技术领域的研究工作提供一种有效的实验手段,需要校准传感器的频率特性,常用......
