光伏探测器相关论文
对于芯片加速寿命可靠性试验来说，温度是其中最重要的一环。首先，立足于芯片可靠性试验中温度的变化，探究高温烘烤对InSb红外探测器芯......
得益于半导体材料及器件技术的飞速发展,基于光生伏特效应的光电探测器已经可以完美地覆盖从紫外、可见直至中远红外的多个波段。......
由于制造工艺和生产条件的不同,光伏探测器的特征参量结品质因子和反向饱和电流有很大差别。提出一种PN结特征参量的间接测量方法,......
温度烘烤是pn结型器件加速实验的常用方法之一。针对室温工作的短波碲镉汞(HgCdTe)红外探测器开展了真空烘烤实验研究。实验样品分......
<正> 休斯研究实验室和林肯实验室是美国研究激光最早和最重要的机构,这两个实验室在激光的研究方面,特别是在激光的军事应用方面,......
用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响......
研究HgCdTe材料中离子注入所引起的组分变化主要包含了以下几方面的内容:一.简要介绍了电子阻止本领,核阻止本领和注入离子射程分......
该文主要从理论及实验上对有关激光辐照的具体问题进行了研究.该文详细的分析了注入和退火样品载流子的作用,指出注入和退火的影响......
报道了采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器．其工作温度为室温（３００Ｋ），在响应波段１．５８～１．６４μｍ内探测率优于３．０×１０１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量......
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利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘......
