为提升大面阵Ⅱ类超晶格红外探测器的性能、产量和材料质量,对3 in长波In As/GaSb Ⅱ类超晶格分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,......

InAs/GaSbⅡ类超晶格由于具有独特的能带结构和良好的材料性能被认为是第三代红外探测器的首选，近年来被广泛研究，并取得快速发展。......

近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。简要介绍了新......

采用电子密度泛函理论方法计算了一系列(111)方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方......

本文简单归纳总结了红外探测II类超晶格材料的发展历史、基本理论、相比MCT材料的优势和材料的基本结构。通过设计6.1系超晶格材......

由于具有带隙可调、电子有效质量大、俄歇复合率低等特点,Ⅱ类超晶格在长波红外和甚长波红外探测方面具有独特优势。介绍了长波超......