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阻变存储器（RRAM）是一种新型非挥发性存储器,具有读写速度快、存储密度高、功耗低、擦写次数多、成本低与传统CMOS工艺相兼容等优点,......
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VO_x薄膜是一种红外热敏半导体材料。在钒的低价氧化物中,VO_2以相变幅度大、相变温度最接近室温而倍受关注。在68℃附近VO_2发生......
氧化钒是一种相变材料，它具有独特的低温半导体-高温金属态的相变特性。在从低温半导体到高温金属态的过程中，其晶体结构从低温的单......
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VOx薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表......
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