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TiO2(A)缓冲层相关论文
缓冲层诱导生长高性能VO2热敏薄膜
VO2(M)在68 ℃寸具有强烈的半导体-金属相变(SMT),同时伴随着电阻率的急剧变化(103~104),故VO2(M)可是应用于非制冷红外探测器领域的最重要......
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