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该文的主要内容为新型半导体氮化铟(InN)薄膜的晶格振动(声子)特性研究.InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景,其光学和电......
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295K和1.1~3.3GPa条件下,通过冰VI-VII的OH伸缩振动Raman光谱分析,对压力与冰VI-VII结构的关系进行了研究.可以看出:(i)在1.1~1.7GPa......

