PIN探测器相关论文
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420 μm左右.PIN探测器的光敏面采用......
扫描近场光学显微术(Scanning near-field optical microscopy,简称为SNOM)是一种在近几十年来取得快速发展的新兴技术。它突破了......
提出了一种效率增强型硅 PIN探测器和新型高灵敏大面积硅 PIN探测器阵列的设计思想 ,并且对它们的探测灵敏度和相对误差进行了详细......
针对裂变 γ辐射能谱的特点 ,采用散射测量技术并选择散射角度 ( 70°) ,将裂变 γ连续谱压缩 ,利用 PIN型探测器对压缩后能段能谱......
提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子......
利用中子与235U发生裂变反应的截面在裂变中子能区基本不变这一特点,可设计研制裂变靶室探测系统,该系统中子能量响应较平坦,在脉......
φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测......
设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/......
