基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施......

超大规模集成电路的迅速发展,迫切要求提高整个电路系统及单个器件的性能与可靠性,这是因为集成电路是由元器件组成的,单个器件的......

应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能.Si3N4层应力值、SiO2层厚度以......

对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的......