InGaAs探测器相关论文
介绍了基于InGaAs单光子探测器的日光条件测距实验，通过压缩激光接收视场、使用超窄带滤光片、结合超快主动淬灭电路等降低InGaAs单......
对国内外航天光学遥感短波红外成像载荷、短波红外器件进行了综述，介绍了非制冷或TE 制冷型InGaAs 探测器短波红外成像原理和应用。......
近年来,随着高光谱成像技术的发展,结合空间分辨力和光谱分辨力的成像高光谱系统越来越多的被应用到各个领域。工业现场的高光谱应......
很多地物目标在短波红外波段有丰富的光谱特征和较高的光谱反射率,使得短波红外在对地观测方面的应用十分广阔。如在轨场地替代定......
数字化InGaAs探测器是短波红外探测器技术发展的一个重要方向,它不仅可以提升系统的集成度,还可以提升成像系统的各项技术指标.通......
短波红外In GaAs探测器在近室温下具有良好的性能,在航天遥感领域有着重要的应用价值。为进一步提升短波红外InGaAs探测器的性能,......
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得......
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10......
针对640×512 InGaAs探测器工作原理和输出信号特点,从低噪声角度出发,设计了由探测器驱动电路、信号缓冲电路、单端转差分电路、......
在介绍了640×512 InGaAs探测器工作原理的基础上,详细分析了InGaAs探测器驱动电路的组成原理、设计方法,重点是偏置电压电路、脉......
首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λ=2.4 μm).探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.7......
