GaN材料相关论文
InGaN材料具有优良的物理特性、化学特性、光学性质、电学性质以及优异的材料机械特性。它的禁带宽度大、击穿电场高、电导率大等......
第五代移动通信技术(5G)已经逐渐应用到各个国家和多种技术领域当中,它极大的优化了我们的工作和生活方式并为社会带来了无限的可......
GaN基高电子迁移率晶体管在高温、高频率和高功率电子工业应用方面表现出了巨大的潜力，引起各国研究机构和公司的关注，并且目前已经......
GaN作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、......
GaN材料由于具有带隙宽、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等优秀的材料特性,使GaN基器件在耐压和微波领域成为了研究热点。为......
GaN材料基于其优异的特性,得到了全世界科研人员的广泛关注,使得其在发光器件、传感器、高温高频大功率器件、场发射等方面都获得......
GaN材料物理性质化学性质非常稳定，并具有很高的饱和电子漂移速度，高击穿场强，高热导率等制备器件所必须的优良特性。所以在制造蓝光，......
