GaN基材料相关论文
GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,其因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射......
采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,......
GaN是一种宽禁带半导体材料,它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质,近来受到人们的广泛关注。GaN基材料广泛地被用于蓝、绿......
