当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......

本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子......

为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应，采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合，实现了DSOI结构的器件。......

利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172......

在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬......

本文简单介绍了SOI和DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及DSOI MOSFET的热阻模型.进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DS......

CMOS的发展紧随摩尔定律的步伐不断缩小特征尺寸的同时,逐渐增加的亚阈值电流和栅介质漏电流阻碍了CMOS工艺进一步发展。因此CMOS......

SOI CMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及无热激发闩锁效应等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。但由于SOI结构中的......