AlN纳米线相关论文
Al N在III族氮化物半导体中具有较大的直接带隙,室温下约为6.2e V,是重要的蓝光和紫外发光材料。Al N材料还具有热导率高、电阻率......
采用两步熔铝氮化法成功地制备出了AlN纳米线.首先,用含氮等离子体电弧法制得Al+AlN混合纳米粉.然后,再将Al+AlN混合纳米粉在750～85......
