论文部分内容阅读
对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨，在该工艺中，光刻胶用于图形掩膜，ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上，预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。ＳＥＭ照片表明，刻蚀在玻璃衬底上的预刻槽的道间距为１．６μｍ，槽深０．１μｍ，槽宽０．６μｍ，符合光盘预刻槽的基本标准，说明该工艺是微细加工母盘凹坑和预刻槽的较好办法。