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在HI-13 串列加速器上建立了对微电子器件进行单粒子效应模拟实验的辐照和检测技术.利用该Q3D磁谱仪获得种类和能量单一、强度分布均匀且足够弱的重离子辐照源,利用散射室内的半导体探测器和焦面上的位置灵敏半导体探测器监测辐照离子.用该装置和技术测量了在8个传能线密度(LET) 值的重离子辐照下引起的几个存储器器件的单粒子翻转(SEU)截面((L).从测得的((L)-LET曲线,结合空间重离子和质子辐照环境模型以及离子与微电子器件相互作用模型计算,预言了器件在空间的单粒子翻转率.