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三星电子称已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。三星将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4 DRAM内存模块。
三星DDR4内存芯片2012年投产速度提升一倍
【摘 要】
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三星电子称已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。三星将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4 DRAM内存模块。
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2011年2期
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