【摘 要】
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采用水热合成及离子交换方法将缺位及单取代型Ｋｅｇｇｉｎ结构钨硅杂多含氧酸根ＳｉＷ（１１）及ＳｉＷ（１１）Ｏ（３９）Ｚ（Ｈ２Ｏ）（６－）嵌入Ｚｎ─Ａｌ型阴离子粘土层间，得到了大层间距的新型层往状微孔材料ＺｎＡｌ─ＳｉＷ（１１）及ＺｎＡｌ—ＳｉＷ（１１）Ｚ（Ｚ＝Ｃｏ（２＋）、Ｎｉ（２十）和Ｃｕ（２＋）），ＸＲＤ与ＩＲ测试结果表明，它们只有９．７ 的通
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采用水热合成及离子交换方法将缺位及单取代型Ｋｅｇｇｉｎ结构钨硅杂多含氧酸根ＳｉＷ（１１）及ＳｉＷ（１１）Ｏ（３９）Ｚ（Ｈ２Ｏ）（６－）嵌入Ｚｎ─Ａｌ型阴离子粘土层间，得到了大层间距的新型层往状微孔材料ＺｎＡｌ─ＳｉＷ（１１）及ＺｎＡｌ—ＳｉＷ（１１）Ｚ（Ｚ＝Ｃｏ（２＋）、Ｎｉ（２十）和Ｃｕ（２＋）），ＸＲＤ与ＩＲ测试结果表明，它们只有９．７ 的通道高度．
(11) and SiW (11) O (39) Z (H2O) (6-), which are both vacancies and monosubstituted Keggin heterostructures, were embedded in Zn-Al type by hydrothermal synthesis and ion exchange A new layer of interfacial porous ZnAl-SiW (11) and ZnAl-SiW (11) Z (Z = Co (2 +), Ni (2 +) and Cu (2+) ), XRD and IR test results show that they only have a channel height of 9.7.
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