取数时间为4ns的256位双极RAM的试制

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日立制作所中央研究所已研制成标准取数时间为4ns 的256位双极型 RAM。它是用于大型计算机的堆栈存储器和控制存储器。为提高速度,采用了低幅的存储单元和最佳的功耗分配及氧化物隔离等。此外,为抑制噪音,改进了写入电路。正在研制256位和1024位组件的商品。 Hitachi Institute of Central Research Institute has developed into a standard time to take a number of 4ns 256-bit bipolar RAM. It is a stack memory and control memory for large computers. To improve speed, the use of low-profile memory cells and the best power distribution and oxide isolation. In addition, to suppress noise, the write circuit is improved. Is developing 256-bit and 1024-bit components of the product.
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