【摘 要】
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低成本高可靠性超高压双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺技术是功率器件的发展方向。提出了一种利用非外延技术开发出的超高压BCD工艺,仅用14层光刻就能支持1P2M。该工艺平台包含7.5
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低成本高可靠性超高压双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺技术是功率器件的发展方向。提出了一种利用非外延技术开发出的超高压BCD工艺,仅用14层光刻就能支持1P2M。该工艺平台包含7.5 V/40 V/200V/700V以及结型场效应管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)等器件,甚至可实现耐压为1 kV的nLDMOS器件。其中关键器件700 V nLDMOS可向用户提供不同尺寸的器件,非隔离(Non_ISO)和隔离(ISO)类型器件的比导通电阻分别为11.3Ω·mm~2,11.1Ω·mm~2,且该器件具有更高的可靠性。同时,该平台已用于量产,工艺十分稳定。
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