【摘 要】
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用电子探针微区分析和阴极荧光研究了LPE生长In_(1-x)Ga_xAs(x～0.47)时用逐次降低生长起始温度T_g的方法生长的外延片.结果表明,采用这种方法可以多次使用生长溶液,得到组分一
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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用电子探针微区分析和阴极荧光研究了LPE生长In_(1-x)Ga_xAs(x～0.47)时用逐次降低生长起始温度T_g的方法生长的外延片.结果表明,采用这种方法可以多次使用生长溶液,得到组分一致性比较好的In_(1-x)Ga_xAs(x～0.47)外延片.
Epitaxial films were grown by successive reduction of the initial growth temperature (T_g) using LPG microanalysis and cathodoluminescence. The results show that this method can be applied to the growth of In_ (1-x) Ga_xAs (x ~ 0.47) The growth solution was used several times to obtain the In_ (1-x) Ga_xAs (x ~ 0.47) epitaxial wafer with good compositional consistency.
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