【摘 要】
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对 AlN/GaN HFET.的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测,发现了由 GaN 沟道层中陷阱作用引起的分散特性,陷阱的激活能量大约为1eV。
The dependence of the low
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对 AlN/GaN HFET.的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测,发现了由 GaN 沟道层中陷阱作用引起的分散特性,陷阱的激活能量大约为1eV。
The dependence of the low frequency transconductance and output resistance of AlN / GaN HFET on the temperature was examined and the dispersion characteristic caused by the trap effect in the GaN channel layer was found. The trap activation energy was about 1 eV.
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