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将电子束蒸发在硅衬底（Ｐ型，〈１００〉晶向，０．５Ω·ｃｍ）上厚度４００ｎｍ、纯度９９．９９％的铝膜，浸入具有中等溶解能力的１５ｗｔ％，Ｈ２ＳＯ４中，ＤＣ恒压６０Ｖ、恒温０℃条件下，进行多孔型过度阳极氧化处理，从而在Ｓｉ基上得到包含空隙层的多孔氧化铝膜。通过对样品ＴＥＭ平面形貌、ＳＥＭ横断面形貌观察以及ＡＥＳ深度剖析，研究了样品的多层结构，并初步讨论了由此揭示出的硅基多孔氧化铝膜的生长过程。