【摘 要】
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基于Chartered 0.35μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的
【机 构】
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北京工业大学集成电路与系统研究室,
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基于Chartered 0.35μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约为6.2 ns,最大功耗约为6.12 mW。
Based on the Chartered 0.35μm EEPROM CMOS process, a custom designed 8 × 8 bit SRAM chip for low power and low cost electronics is designed. The test results show that the chip has the correct function and stable performance under the condition of 3.3 V supply voltage and 20 MHz clock frequency, meeting the design requirements. The access time is about 6.2 ns and the maximum power consumption is about 6.12 mW.
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