【摘 要】
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基于ANSYS及MATLAB仿真软件对半桥型IGBT器件的热分布情况进行实验和仿真建模研究。首先对IGBT器件的温度分布进行仿真建模,然后采用红外成像仪和结温测试设备分别进行了实验
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11404039,11404041);教育部第46批留学回国人员科研启动基金资助项目(Nos.【2013】693)
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基于ANSYS及MATLAB仿真软件对半桥型IGBT器件的热分布情况进行实验和仿真建模研究。首先对IGBT器件的温度分布进行仿真建模,然后采用红外成像仪和结温测试设备分别进行了实验测量,对仿真结果进行了验证。仿真和实验研究结果表明,在器件温度分布图中,温度最高点在于芯片处以及芯片与引线连接处,证实了影响IGBT器件可靠性的主要因素在于器件升温过热引起的引线断裂、剥离、芯片过温及焊层老化等问题。
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