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在晶粒取向硅钢二次再结晶过程中,通常可以在二次再结晶高斯晶粒中(矩阵)发现单独的晶粒。在对冷轧板后序加工试验中,研究了每个独立晶粒和矩阵两者之间的结晶学关系。尽管在初始织构中抑制高斯取向的∑9晶界最容易发生迁移,但是在这个试验中观察不到此现象,而经常观察到具有∑3或高角度取向偏差关系的特别晶粒。当加工温度提高时,∑3晶界发生迁移的频率减少,GGB(普通晶界)增加,说明∑9晶界易发生迁移,∑3晶界较不易发生迁移,GGB最不容易发生迁移。这种现象与CSL模型不相矛盾,但是它没有阐明这种结果是否由晶界或迁移率导