【摘 要】
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研究了用自对准制作短沟MOS FET的新技术。进行离子腐蚀时,若将平行离子束从倾斜方向进行照射,抗蚀剂下的阴影部分不会被腐蚀。利用这种效果再与剥离法并用,仅用一次掩模就可
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研究了用自对准制作短沟MOS FET的新技术。进行离子腐蚀时,若将平行离子束从倾斜方向进行照射,抗蚀剂下的阴影部分不会被腐蚀。利用这种效果再与剥离法并用,仅用一次掩模就可制作源、漏、栅,不必要对位。用此技术试制了沟道长度为1～2.6μm的多晶硅棚MOS FET。
A new technique for making short-channel MOS FETs with self-alignment has been studied. When performing ion etching, if the parallel ion beam is irradiated from an oblique direction, shaded portions under the resist are not corroded. Use this effect and then with the stripping method and use, with only one mask can be made of source, drain, gate, unnecessary alignment. With this technology trial production of the channel length of 1 ~ 2.6μm polysilicon shed MOS FET.
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